PMEG2020AEA.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMEG2020AEA.115 (NEX-NXP)	1 437	8.42

Версия для печати

Технические характеристики PMEG2020AEA.115

Производитель	NXP
Количество в упаковке	3000 шт.
Вес	0.020 г
Temperature	Шоттки
Bag Type	20 В
Tape Width - Max	1 x 2 А
Technology	1
Температурный коэфициент	70 пФ
Корпус (размер)	SOD-323

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AD8014ARZ	Операционный усилитель, 400МГц, Iпот.=1.15мА, -40°C..+85°C	ANALOG DEVICES
AD8014ARZ	Операционный усилитель, 400МГц, Iпот.=1.15мА, -40°C..+85°C		6	543.90
AD8014ARZ	Операционный усилитель, 400МГц, Iпот.=1.15мА, -40°C..+85°C	ANALOG
AD8014ARZ	Операционный усилитель, 400МГц, Iпот.=1.15мА, -40°C..+85°C	Analog Devices Inc
AD8014ARZ	Операционный усилитель, 400МГц, Iпот.=1.15мА, -40°C..+85°C	ANALOG DEVICES
AD8554ARZ	4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ANALOG DEVICES
AD8554ARZ	4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ANALOG
AD8554ARZ	4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	Analog Devices Inc
AD8554ARZ	4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
AD8554ARZ	4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
AD8554ARZ	4 Операционный усилитель CMOS с автокоррекцией, вх./вых. размах до шин питания, 1,5 ...
B72520-V40-M62		EPCS
B72520-V40-M62		EPCOS
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG DEVICES
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	Analog Devices Inc
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	ANALOG DEVICES
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	США
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
REF195ESZ	ИОН на, 5В+10мВ, 5ppm/°C, Iвых=30мА, SOIC8, -40°С:+85°C			592.00