IRFSL11N50A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFSL11N50A		176.28

Версия для печати

Технические характеристики IRFSL11N50A

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	51nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1426pF @ 25V
Power - Max	190W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	TO-262-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFSL11N50A (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFSL11N50A datasheet
133.3 Кб