TS922AIDT

Версия для печати

Технические характеристики TS922AIDT

Корпус	8-SO
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	2.7 V ~ 12 V
Ток выходной / канал	80mA
Ток выходной	2mA
Напряжение входного смещения	900µV
Ток - входного смещения	15nA
Полоса пропускания	4MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	1.3 V/µs
Тип выхода	Rail-to-Rail
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Output Type	Rail-to-Rail

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
AM26C31ID		TEXAS INSTRUMENTS
AM26C31ID				17.40
AM26C31ID		TEXAS INSTRUMENTS
AM26C31ID		TEXAS
AM26LS32ACD	Линейный рессивер со счетверённым диференциалом	TEXAS INSTRUMENTS
AM26LS32ACD	Линейный рессивер со счетверённым диференциалом			168.00
AM26LS32ACD	Линейный рессивер со счетверённым диференциалом	AMD
AM26LS32ACD	Линейный рессивер со счетверённым диференциалом	ADVANCED MICRO DEVICES
AM26LS32ACD	Линейный рессивер со счетверённым диференциалом	TEXAS INSTRUMENTS
AM26LS32ACD	Линейный рессивер со счетверённым диференциалом	TEXAS
MC33269DTRK-3.3G		ON SEMICONDUCTOR
MC33269DTRK-3.3G		ONS	2 000	114.11
MC33269DTRK-3.3G				73.52
MC33269DTRK-3.3G		ON SEMICONDUCTOR
MC33269DTRK-3.3G		ON SEMIC
MC33269DTRK-3.3G		ONSEMICONDUCTOR
PESD2IVN24-TR		NEX
PESD2IVN24-TR
TS5A23157DGSR		TEXAS INSTRUMENTS
TS5A23157DGSR			2 024	32.35
TS5A23157DGSR		TEXAS INSTRUMENTS
TS5A23157DGSR		TEXAS