Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) |
Биполярный транзистор NPN Hi-Fi, 150V, 14A, 125W, 50MHz (Comp. 2SA1303)
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1303 | Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 150V, 14A, 125W, 50MHz | 57.48 | ||||||
2SA1303 | Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 150V, 14A, 125W, 50MHz | SK | ||||||
MJE4342 | ||||||||
MJE4343 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MJE4343 | ||||||||
MJE4343 | ON SEMICONDUCTOR |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SA1303 | Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 150V, 14A, 125W, 50MHz | 57.48 | ||||||
2SA1303 | Биполярный транзистор PNP Hi-Fi, 150V, 14A, 125W, 50MHz | SK | ||||||
CR-0.25-1.5К 5% | CHINA | |||||||
CR-0.25-1.5К 5% |
1.04 >100 шт. 0.52 |
|||||||
MF-0.25-820 1% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0.25Вт, 820кОм, 1% | CHINA | ||||||
MF-0.25-820 1% | Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 0.25Вт, 820кОм, 1% | 1 520 | 2.84 | |||||
MJW21195 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MJW21195 | 1 550.40 | |||||||
MJW21195 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MJW21196 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
MJW21196 | 1 550.40 |
|