PBLS6001D

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PBLS6001D (NXP.)	6 856	3-4 недели Цена по запросу
PBLS6001D (PHILIPS.)	52 173	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PBLS6001D

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V, 60V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA, 700mA
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Resistor - Base (R1) (Ohms)	2.2K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	2.2K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA, 100nA
Frequency - Transition	185MHz
Power - Max	600mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74, SOT-457
Корпус	6-TSOP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PBLS6001D (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

60V PNP BISS loadswitch

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

PBLS6001D datasheet
136.73Kb
16стр.