IXKC25N80C

Версия для печати

Технические характеристики IXKC25N80C

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	CoolMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	25A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 2mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4600pF @ 25V
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	ISOPLUS220™
Корпус	ISOPLUS220™

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IXKC25N80C (MOSFET)

CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS Package

Производитель:
IXYS

IXKC25N80C datasheet
113.6 Кб