Версия для печати
Технические характеристики 2N6517

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	350V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 50mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

2N6517 Npn Silicon Planar Medium Power Transistor Производитель: Zetex Semiconductors //www.zetex.com 2N6517 datasheet 30.91Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ504А		никель	КРЕМНИЙ	84	362.88
		КТ504А		никель		11	110.40
		КТ504А		никель	БРЯНСК	144	609.00
		КТ504А		никель	RUS

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5339BRLG		Стабилитрон 5W 5,6V 5%	ON SEMICONDUCTOR
		1N5339BRLG		Стабилитрон 5W 5,6V 5%			21.64
		1N5339BRLG		Стабилитрон 5W 5,6V 5%	ONS
		1N5339BRLG		Стабилитрон 5W 5,6V 5%	ON SEMICONDUCTOR
		1N5339BRLG		Стабилитрон 5W 5,6V 5%	ON SEMICONDUCTO
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	VISHAY
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)		184	101.75
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	MOTOROLA
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SAMSUNG
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	SGS THOMSON
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	Vishay/Siliconix
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	STMicroelectronics
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	КИТАЙ
		IRF730		Транзистор полевой N-канальный (Vds=400V, Id=5.5A, Rds=1.0R)	1
		RX27-1 360 ОМ 5W 5% / SQP5				5 215	4.47
		YC164-JR-07100RL		Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)	YAGEO	137 469	1.35  >500 шт.   0.45
		YC164-JR-07100RL		Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)			1.60
		YC164-JR-07100RL		Резисторная сборка из 4-х резисторов SMD (100Оhm, ±5% , 100 В, +/-200 ppm)	YAGEO	7 272
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	4 188	31.73
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ	508	25.20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"