Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	10 658	4.76
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	6 010	8.57
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	841	1.76
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		564КТ3					821.28
		564КТ3			ИВАНОВО-ФРАНКОВСК
		564КТ3			ВОСХОД
		564КТ3			ПАВЛОВ ПАСАД
		564КТ3			МИКРОН
		564КТ3			ПАВЛОВ ПОСАД
		564КТ3			КАЛУГА
		564КТ3			ЭКСИТОН
		564КТ3			ПАВЛО ПОСАД
		564КТ3			ПАВЛОВ.ПОСАД
		564КТ3			ФОРМ
		564КТ3			МИСКВА ФОРМ
		564КТ3			МОСКВА ФОРМ
		564КТ3			ПАВЛОВСКИЙ ПОСАД
		564КТ3			РОДОН
		564КТ3			АЗОН
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...		85	173.40
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСК
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	П/П 2
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	RUS
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	СЗТП	12	257.04
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	РОССИЯ
		Д246А		Диоды кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс		18	71.82
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СССР ЭКСПОРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СТАРТМОСКВА
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	RUS
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	ТАРТ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	СЗТП	21	113.65
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	П/П 2
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	РОССИЯ
		КУ202Н		Тиристор кремниевый 400В,10/30А, 10мкс/100 мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц		4 778	24.05
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	ЗОНД
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	ИЗОТОП
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	RUS
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	СЗТП	8	60.48
		КЦ405А		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов 600В, 1000мА, 5кГц	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"