FQP30N06L

Версия для печати

Технические характеристики FQP30N06L

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	QFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1040pF @ 25V
Power - Max	79W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP30N06L (N-канальные транзисторные модули)

60V LOGIC N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQP30N06L datasheet
626.01Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FQP17P06		FAIR
FQP17P06				240.00
FQP17P06		Fairchild Semiconductor
FQP17P06		FAIRCHILD
FQP17P06		ON SEMICONDUCTOR
FQP27P06		FAIR
FQP27P06		Fairchild Semiconductor
FQP27P06
FQP27P06		FSC
FQP27P06		ONS
FQP27P06		ONS-FAIR
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	NS
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute		1	1 018.80
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	NSC
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	NSC1
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	ФИЛИППИНЫ
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	TEXAS INSTRUMENTS
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	TEXAS
LM3886TF	УНЧ 68W (2x28V/4 Ом), Mute	NATIONAL	4	149.60
М3000НМС2Ш12Х15
ПЭТВ-2 0.300	Провод для изготовления обмоток электрических машин, аппаратов и приборов			769.20