К73-9-400В-0.1МКФK

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
К50-20-16-10	Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 16 В			1.72
К50-68И-16В-470МКФ
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс		82	59.20
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс	ФОТОН
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс	СЗТП	8	196.56
КД213Б	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,17мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД512Б			1 353	2.27
КД512Б		БОЛОХОВСКИЙ ЗПП
КД512Б		БОЛХОВ	91 267	1.68 >100 шт. 0.84
КД512Б		RUS
КД512Б		БОЛХОВСКИЙ ЗПП
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		623	28.34
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	3 064	33.61
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 752	37.80
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ