|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FSC
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
|
4
|
45.60
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
Fairchild Optoelectronics Group
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
США
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONS
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
4N35M |
|
Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%
|
LIT
|
797
|
26.21
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
205
|
16.45
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
88
|
40.34
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
440
|
25.50
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
|
341
|
10.32
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
САРАНСК
|
422
|
4.00
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД247А |
|
Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
800
|
15.30
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 876
|
12.25
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
2 496
|
10.82
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
3 807
|
12.00
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 340
|
8.48
|
|