Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAI/QTC
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FSC
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%		3	47.88
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	Fairchild Optoelectronics Group
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	Lite-On Inc
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	США
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIRCHILD
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	FAIRCHILD
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONSEMICONDUCTOR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONS	2 285	34.12
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ONS-FAIR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	ON SEMICONDUCTOR
		4N35M		Оптрон 1 канал Iпр макс=100 mA Uизол=5,3kV Uвых=30V CTR 40%	LIT	1 708	23.33
		К561ЛЕ10				3 168	11.10
		К561ЛЕ10			ИНТЕГРАЛ
		К561ЛЕ10			ЭЛЬТАВ
		К561ЛЕ10			ЗПП
		К561ЛЕ10			КАЛУГА	1	7.98
		К561ЛЕ10			МИНСК	13 396	10.50
		К561ЛЕ10			ЗПП МИНСК
		К561ЛЕ10			ВИННИЦА
		К561ЛЕ10			МИКРОН	1 092	8.40
		К561ЛЕ10			БИЛУР
		К561ЛЕ10			МИОН
		К561ЛЕ10			RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс		101	20.24
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	ТОМИЛИНО
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	RUS
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	СЗТП	80	18.90
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	РОССИЯ
		КД226Д		Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...		341	10.86
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	САРАНСК	62	4.20
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	СЗТП	800	11.34
		КД247А		Кремниевый выпрямительный быстродействующий диод, для преобразования переменного ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		1 640	12.88
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	5 496	12.41
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 332	9.08

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"