КС212Ж
стекло
|
|
Версия для печати
| Мощность рассеяния,Вт | 0.125 |
| Минимальное напряжение стабилизации,В | 11 |
| Номинальное напряжение стабилизации,В | 12 |
| Максимальное напряжение стабилизации,В | 13 |
| Статическое сопротивление Rст.,Ом | 40 |
| при токе I ст,мА | 4 |
| Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С | 0.095 |
| Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В | 1 |
| Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА | 0.5 |
| Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА | 11 |
| Рабочая температура,С | -60...125 |
| Способ монтажа | в отверстие |
| Корпус | kd 2 |
| Производитель | Россия |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 96 869 | 2.04 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 323 225 | 1.40 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 77 782 | 3.27 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 176 921 | 1.56 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 6.12 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
240 205 |
1.92 >100 шт. 0.96 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 92 | 1.97 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 90 647 | 1.42 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 42 400 | 2.95 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 24 000 | 1.81 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 15 317 | 1.02 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 72 621 | 2.28 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 84 551 |
1.12 >100 шт. 0.56 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 125 | 2.42 | ||
| 2200МКФ 25В (13X20) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В | CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS |
|
|
|||
| 2200МКФ 25В (13X20) 105°C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В |
|
66.00 | ||||
 |
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | 359 | 93.60 | ||
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | DMS |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | SILICONIX | 18 |
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | BLUEROCK |
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт | 1 |
|
|
|
 |
КС680А |
|
металл | 35 | 54.00 | |||
|
|
КС680А |
|
металл | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
||
|
|
КС680А |
|
металл | НОВОСИБИРСК |
|
|
||
|
|
КС680А |
|
металл | СЗТП |
|
|
||
 |
КТ940Б | 271 | 46.80 | |||||
|
|
КТ940Б | КРЕМНИЙ |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | БРЯНСК |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | УЛЬЯНОВСК |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | МИНСК |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | RUS |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | ТРАНЗИСТОР |
|
|
||||
|
|
КТ940Б | КРЕМНИЙ ЭЛ | 7 | 10.51 |
