Версия для печати

Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ КТ829А datasheet 123,53kB 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD647				12
		BD647				12
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAI/QTC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRONICS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FSC
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	FAIR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)		1	38.40
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ON SEMICONDUCTOR
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	STMicroelectronics
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ФИЛИППИНЫ
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	ST MICROELECTRO
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	HOTTECH	15 200	14.76
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	KLS
		BD681		Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)	1
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAI/QTC
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ST MICROELECTRONICS
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FSC
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAIR
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAIRCHILD
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FAIRCHILD
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	STMICROELECTRONICS
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ON Semiconductor
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	МАРОККО
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	FSC1
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ФРЯЗИНО
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...			44.32
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	ST MICROELECTRO
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	STMICROELECTR
		BDX53C		Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...	0.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	148 947	1.74
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	98 758	1.30
		1N4007			DIOTEC	55 436	2.82
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	93 428	1.30
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	6.12
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 807	3.52
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	4 969	1.63
		1N4007			HOTTECH	90 879	1.23
		1N4007			KLS	120 000	1.97
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	273 600	1.57
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG	3 905	1.88
		1N4007			KUU	4	1.04  >100 шт.   0.52
		1N4007			CHINA	15 337	1.02
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	131 889	1.91
		1N4007			TWGMC	20	1.70  >100 шт.   0.85
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		4 900	33.25
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	162	72.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...		534	66.30
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	1 840	137.76
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.		2 692	12.25
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	КРЕМНИЙ	3 184	11.80
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	МИНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	БРЯНСК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ВОРОНЕЖ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	НАЛЬЧИК
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	RUS
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ИНТЕГРАЛ
		КТ3102БМ		Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.	ТРАНЗИСТОР	2 340	8.48
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	106	1 147.50
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		55	805.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	171	1 250.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"