Версия для печати

Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный КТ829Б datasheet 75,63kB 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS	400	38.25
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ON SEMICONDUCTOR
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	66.88
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	STMicroelectronics
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ЭЛЬТАВ
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)		43	66.88
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	FSC1
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	ST MICROELECTRO
		BD679		Транзистор NPN+D Darl, 80V, 4A, 20W (Comp. BD680)	1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FAI/QTC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ST MICROELECTRONICS	40	15.84
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W			28.56
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ON SEMICONDUCTOR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMicroelectronics
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДОНЕЗИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ИНДИЯ
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	FSC1
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	HOTTECH	7 327	18.76
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	LGE	5 100	17.06
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	KLS	737	23.90
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	STMICROELECTR
		BD679A		Транзистор биполярный составной NPN-Darl 80V 4A 40W	ZH	34 800	12.32
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ST MICROELECTRONICS
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD			63.24
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	MOTOROLA
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	ON SEMICONDUCTOR
		BDX53B		Транзистор биполярный SMD	STMicroelectronics

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	43.35
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	1 589	12.22
		КТ829В				432	7.00
		КТ829В			КРЕМНИЙ	80	81.60
		КТ829В			ФРЯЗИНО
		КТ829В			ЭЛЬТАВ
		КТ829В			БРЯНСК
		КТ829В			САРАНСК
		КТ829В			КРЕМН
		КТ829В			ЭЛЬДАГ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		11 591	39.38
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	55.37
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	16 737	44.00
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 920	108.24
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2	35.20
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	7 886	34.00
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ972Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 786	35.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	13 280	44.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 160	80.69
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"