Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ТРАНЗИСТОРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	VISHAY
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс			1 140.00
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	INTERNATIONAL RECTIFIER
		150EBU04		Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс	Vishay/Semiconductors
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 251	4.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 792	3.85
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		5 600	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	74 640	0.70  >1000 шт.   0.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.05
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	TEXAS INSTRUMENTS	1 664	10.50
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	ON SEMICONDUCTOR
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	ST MICROELECTRONICS
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	TEXAS
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...		4	14.84
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	ON SEMICONDUCTOR	881
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	TEXAS INSTRUMENTS
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	STMicroelectronics
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	МЕКСИКА
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	ON SEMIC
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	TEXAS INSTRUMEN
		TL431ID		Регулир. прецизионный параллельный СН (Vout=2.5-36V, tol=2%, 30ppm/C, I=1-100mA, -40 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	459
		КТ8102А		Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц		236	154.56
		КТ8102А		Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц	КРЕМНИЙ	80	170.10
		КТ8102А		Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц	БРЯНСК	274	231.00
		КТ8102А		Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц	RUS
		КТ8102А		Транзистор кремниевый питаксиально-планарный структуры PNP универсальный 150Вт, 10МГц	КРЕМН
		КТ851Б					43.20
		КТ851Б			КРЕМНИЙ	80	75.60
		КТ851Б			БРЯНСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"