МЛТ-0.125-5.6КJ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W			155.76
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		1 450	26.25
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	1 600	35.70
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	17 517	30.00
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
КТ817Г	Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
С2-23-0.25-16К 5%				1.72
СП3-39А-47КОМ
СП3-9А-0,5-3,3 КОМ-10%