|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
1 365
|
16.23
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
442
|
23.45
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 021
|
10.90
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
648
|
8.39
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
KSE350STU |
|
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
378
|
94.67
|
|
|
|
КД204А |
|
|
|
82
|
37.80
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
|
741
|
220.80
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
3 642
|
21.00
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ELNEC
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
С2-23-0.5-27 10% |
|
|
|
|
2.00
|
|