ММТ-4Б-10КМ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		336	93.60
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	841	32.26
IRF840	N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
К 561 ЛЕ5	4 логических элемента 2ИЛИ-НЕ, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
ММТ-1- 3.0К 20%		АЛМАЗ
ММТ-1- 3.0К 20%
ОМЛТ -0.125 ВТ 2.0 МОМ 5%			5 360	1.04
ОМЛТ -0.125 ВТ 2.2 МОМ 5%			160	1.04