STB36

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STB36		1 123.24

Версия для печати

Технические характеристики STB36

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 15A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	17nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	660pF @ 25V
Power - Max	70W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STB36NF06L (Мощные полевые МОП транзисторы)

N-CHANNEL 60V - 0.032 Ohm - 30A DР†PAK / TO-220 STripFETTM II POWER MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

STB36 datasheet
205.14Kb
8стр.