|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
FET Type | N and P-Channel |
FET Feature | Logic Level Gate |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33 mOhm @ 8A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 404pF @ 20V |
Power - Max | 20W, 30W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD |
Корпус | TO-252-4L |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK1357 | Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 125W | TOSHIBA | 4 | 392.70 | ||||
2SK1357 | Транзистор полевой N-MOS 900V, 5A, 125W | 11 | 309.60 | |||||
NTD20P06LG | ON SEMICONDUCTOR | |||||||
NTD20P06LG | ONS | |||||||
NTD20P06LG | 108.00 | |||||||
NTD24N06LT4G | Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
NTD24N06LT4G | Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | ONS | ||||||
NTD24N06LT4G | Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | ON SEMICONDUCTOR | ||||||
NTD24N06LT4G | Силовой MOSFET транзистор N- канальный 60В, 24А, 1.36Вт | |||||||
S21ME4 | SHARP | |||||||
S21ME4 | 113.80 | |||||||
S21ME4 | Sharp Microelectronics | |||||||
S21ME4 | ФИНЛЯНДИЯ | |||||||
W78E516B40PL | WINBOND | |||||||
W78E516B40PL | WINBOND | |||||||
W78E516B40PL | Nuvoton Technology Corporation of America |
|