|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
4 335
|
1.60
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
29 470
|
2.58
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
12 499
|
1.66
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
14 848
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
246 920
|
1.14
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
685 356
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
2 660
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
74 820
|
1.08
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
7 200
|
1.15
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
166 895
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BOX-KA14 |
|
|
|
|
206.40
|
|
|
|
BOX-KA14 |
|
|
Ђ®ББЁП
|
|
|
|
|
|
BOX-KA14 |
|
|
|
|
206.40
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
9 840
|
17.71
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
|
6 640
|
4.88
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 010
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
|
|
38.40
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
1
|
55.81
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
MICRO CHIP
|
2 443
|
196.80
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
|
1 672
|
93.18
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PIC12F675-I/SN |
|
Микроконтроллер 1Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
1
|
|
|
|