FBT FSV-20A001

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC5446	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 18A, 200W, Tf<150nS)	TOSHIBA	8	596.70
2SC5446	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 18A, 200W, Tf<150nS)		1	499.20
2SC5446	Биполярный транзистор NPN hi-res (1700V, 18A, 200W, Tf<150nS)	TOS
AD812AN	ОУ Ind DIP8	ANALOG DEVICES
AD812AN	ОУ Ind DIP8		1	936.00
AD812AN	ОУ Ind DIP8	1
BU808DFI	Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	FAIR
BU808DFI	Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	ST MICROELECTRONICS
BU808DFI	Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W			212.28
BU808DFI	Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	-
BU808DFI	Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	STMicroelectronics
BU808DFI	Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 1400V, 7.5A, 50W	КИТАЙ
IRG4PC50UDPBF	Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50UDPBF	Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...	INFINEON
IRG4PC50UDPBF	Транзистор IGBT+DI (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, Vce(on)=1.65V(typ), ...