Версия для печати
Технические характеристики MC1489N

Корпус	14-PDIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Protocol	RS232
Number of Drivers/Receivers	0/4
Тип	Line Receiver
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Интерфейсы

 » 

Драйверы, приемники, передатчики

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MC1489P			SGS
		MC1489P			SGS THOMSON
		MC1489P				1	72.00

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MCC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	10 026	4.28
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SMK
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIC	692	2.01
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ	32 931	3.94
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DC COMPONENTS	3 692
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	FAIRCHILD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GENERAL SEMICONDUCTOR	21
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ON SEMICONDUCTOR	80
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	OTHER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTRON	240
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YJ ELECTRONIC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Fairchild Semiconductor
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	Vishay/Semiconductors
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	STMicroelectronics
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	КИТАЙ	1 040	3.00
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	LESHAN RADIO COMPANY, LTD	43 351
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MOTOROLA
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	RECTIFIER
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	DIODES INC.	14
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MMC
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А		2 363	7.04
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MULTICOMP
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KINGTRONICS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ONS-FAIR
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	GALAXY ME
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	JY
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	KLS
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SUNTAN	7 761	3.70
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE	17 600	2.84
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	YANGJIE (YJ)
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	WUXI XUYANG
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	SEMTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	MIС
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	ASEMI
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	HOTTECH
		1N5819		Диод Шоттки 40В, 1А	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIODES
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC	1 229	2.71
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DC COMPONENTS	97 108	2.56
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WTE
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	MCC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	FAIRCHILD	1 304
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NXP	149
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OTHER	44
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS	1 404
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WILLAS ELECTRONIC CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	UTC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY	701	2.74
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	Fairchild Semiconductor
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PHILIPS SEMIC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	КИТАЙ
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ZETEX
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	VISHAY
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...		19 291	1.13
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS-FAIR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YJ	809 411	1.39
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GALAXY ME
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	LRC
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC ELECTRONICS CORP
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	DIOTEC SEMICONDUCTOR AG	100
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	HOTTECH	709 257	1.27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	KLS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SUNTAN
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	PANJIT	24 773
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	GOOD-ARK SEMICONDUCTOR	27
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	SEMTECH
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE	14 400	1.34
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YANGJIE (YJ)
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	WUXI XUYANG
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEX-NXP	4 960	5.90
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	ONS
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	TWGMC	48 981	1.70  >100 шт.   0.85
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	OLITECH	154	1.47
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JSCJ	193 686	1.76
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	YOUTAI	63 346	1.67
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	1
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	JINGDAO	2 776	1.96  >100 шт.   0.98
		BAT54S		2 импульсных малосигнальных диода Шоттки (посл. соед., Vr=30V, If=0.3A, ...	NEXPERIA	2 000	1.60
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)		8 832	1.40  >100 шт.   0.70
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	FAIR
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PHILIPS
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	ST MICROELECTRONICS	1 032	1.42  >100 шт.   0.71
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	CHINA
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	БРЕСТ	10 651	1.40  >100 шт.   0.70
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	GALAXY
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	OTHER
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PHILIPS
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	Fairchild Semiconductor
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	КИТАЙ	266	6.63
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	DC COMPONENTS	114 310	1.20  >100 шт.   0.60
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	GALAXY ME
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	PANJIT
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	YJ
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	HOTTECH
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	KLS	89	1.07
		BZX55C3V9		Cтабилитрон универсальный (Vz=3.74.1V (3.9V nom)@Iz=5 mA, tol=5%)	SEMTECH	3 256	1.54
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)		24 622	1.51
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	DC COMPONENTS	24 196	2.00  >100 шт.   1.00
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	FAIR
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	FAIRCHILD
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	FAIRCHILD
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	OTHER
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	GALAXY
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	Fairchild Semiconductor
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	МАЛАЙЗИЯ
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	VISHAY
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	КИТАЙ
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	БРЕСТ	3 273	2.00  >100 шт.   1.00
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	GALAXY ME
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	PANJIT
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	HOTTECH	48 801	1.56  >100 шт.   0.78
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	SEMTECH	2 281	1.76
		BZX55C6V2		Cтабилитрон универсальный (Vz=5.86.6V (6.2V nom)@Iz=5 mA, tol=6%)	KLS
		DS9503P		Диод электростатической защиты со встроенными резисторами	MAXIM
		DS9503P		Диод электростатической защиты со встроенными резисторами	DALLAS
		DS9503P		Диод электростатической защиты со встроенными резисторами			73.00
		DS9503P		Диод электростатической защиты со встроенными резисторами	MAX

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"