MF-0.125 330K 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		КИТАЙ
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		GALAXY
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		GALAXY ME
MF-0.125-100 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.125-100 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			2.80
КР140УД1208			805	69.92
КР140УД1208		КИЕВ
КР140УД1208		КВАЗАР
КР140УД1208		МИКРОН
КР140УД1208		МИКРО-М	2 153	79.80
КР140УД1208		КВАДР
КР140УД1208		КОНТИНЕНТ
КР140УД1208		УКРАИНА
КР140УД1208		МИКРО М
КР140УД1208		RUS
КР140УД1208		МИКРОМ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 057	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 805	31.87
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 920	37.80
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
СП3-38Б-0,125 4,7К 20%