|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-X7R-0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10%
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-0.10UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.10мкФ, 50В, 10%
|
|
|
3.00
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
|
1
|
295.20
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SC4467 |
|
Биполярный транзистор NPN , 120В, 8A, 80Вт, 20МГц (Comp. 2SA1694)
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
|
80.00
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
267
|
132.60
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
|
|
102.80
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ48N |
|
N-канальный полевой транзистор (Vds=55V, Id=64A@T=25C, Id=45A@T=100C, Rds=16 mOhm ...
|
EVVO
|
2 973
|
35.08
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
876
|
136.34
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
|
396
|
103.97
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
STMicroelectronics
|
1
|
94.65
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
23
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
0.00
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
1
|
|
|
|