| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
|
|
143.40
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRFP150N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=100V, Id=41A@T=25C, Id=29A@T=100C, Rds=0.055 R, ...
|
EVVO
|
2 876
|
88.03
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
|
1 204
|
192.50
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ТАШКЕНТ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД213А |
|
Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КР1554ТМ2 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1554ТМ2 |
|
|
|
793
|
32.40
|
|
|
|
|
КР1554ТМ2 |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 198
|
26.40
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
480
|
35.70
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 741
|
28.00
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ЭКР1554ТЛ2 |
|
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
