КМ5Б-Н30В-0.01МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ВП1-1 2А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...		3 568	18.44
ВП1-1 2А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТАЛЬ	4 000	18.53
КМ5Б-Н90В-0.1МКФ
КТ315Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В		63 011	7.04
КТ315Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	НАЛЬЧИК
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный		33 161	1.76
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМН
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМНИЙ
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	ТОМСК	851	2.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		2	35.20
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	8 452	34.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С