КМ5Б-Н90В-0.1МКФ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ВП1-1 2А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...		2 200	17.05
ВП1-1 2А	Вставка плавкая для защиты электрических сетей от перегрузок и токов короткого ...	РАДИОДЕТАЛЬ	4 000	18.53
КИПД21П-К	Полупроводниковые светодиодные индикаторы, для использования в аппаратуре широкого ...		1	8.80
КИПД21П-К	Полупроводниковые светодиодные индикаторы, для использования в аппаратуре широкого ...	ПЛАНЕТА СИД
КМ5Б-Н30В-0.01МКФ
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный		34 059	1.76
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМН
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	КРЕМНИЙ
КТ361В	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный, высокочастотный	ТОМСК	1 331	2.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		5	35.20
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК	10 202	38.00
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ЗПП МИНСК
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	40	30.60
КТ972Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ-С