КТ6117Б

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ6117Б		13.60

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	FAIR
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MOTOROLA
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	FAIRCHILD
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	FAIRCHILD
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	MOTOROLA
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	NXP
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5550	Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)
КТ6127И		АЛЕКСАНДРОВ
КТ6127И
КТ6127И		ЭЛЕКС (АЛЕКСАНДРОВ)	988	20.00

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	15.30
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	3 423	5.31
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	8 320	3.05
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		6 412	1.13
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	4 012	1.79
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	19 200	1.24
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)		17	13.20
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FAIR
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	VISHAY
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FAIRCHILD
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	Fairchild Semiconductor
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	FSC
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	KINGTRON
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	ONS	9	5.04
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	ONS-FAIR
BZX85C12	Стабилитрон универсальный (Vz=11.412.7V (12V nom)@Iz=20 mA, tol=5%)	1
IRF9540NPBF	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9540NPBF	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF9540NPBF	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А	INFINEON	1 372	86.26
IRF9540NPBF	P-канальный полевой транзистор 140Вт, 100В, 23А		1 640	41.82
КТ 6117 А		RUS
КТ6117А	(2N5551)			11.04
КТ6117А	(2N5551)	МИНСК
КТ6117А	(2N5551)	ИНТЕГРАЛ