|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
|
|
800.00
|
|
|
|
150EBU02 |
|
Диод быстродействующий 200В, 150А, PowerTab
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
|
|
380.56
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50U |
|
Транзистор IGBT (Ultrafast) модуль единичный 600В, 55A, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
JOYIN
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
|
|
11.48
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
JNR10S100L |
|
Нелинейный терморезистор ограничения тока , 10Ом, 15%, 3А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS
|
2 080
|
21.65
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
|
|
28.00
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM358ADT |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель 2xOp-Amp 32V, 0.+70°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|