РЭС60 РС4.569.435-03.02

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CF-0.125-200 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.125-200 5%	Резистор углеродистый			1.32 >500 шт. 0.44
CF-0.125-330K 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.125-330K 5%	Резистор углеродистый			1.32 >500 шт. 0.44
CF-0.125-47 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.125-47 5%	Резистор углеродистый			0.84 >500 шт. 0.28
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный		1 043	39.90
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	ПЛАНЕТА
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	ТОМСК
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	СТАРТ	168	32.47
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	ПРОТОН
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	ПЛАНЕТА СИД
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	ПЛАНЕТА-СИД
АЛ307НМ	Диод светоизлучающий, с рассеянным излучением, эпитаксиальный	RUS
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		383	29.75
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	800	35.70
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	1 856	34.00
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР