| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
КД105Г КАПЛЯ |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
 |
 |
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
|
740
|
220.80
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
3 394
|
21.00
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ELNEC
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
1 591
|
11.04
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
80
|
18.90
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ630В |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
343.98
|
|
|
|
|
КТ630В |
|
|
|
8
|
298.62
|
|
|
|
|
КТ630В |
|
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ630В |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
340
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
26.46
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 303
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
6
|
42.36
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
