Версия для печати
Технические характеристики КС175А2

Мощность рассеяния,Вт	0.15
Минимальное напряжение стабилизации,В	7
Номинальное напряжение стабилизации,В	7.5
Максимальное напряжение стабилизации,В	8
Статическое сопротивление Rст.,Ом	16
при токе I ст,мА	5
Температурный коэффициент напряжения стабилизации аUст.,%/С	0.04
Временная нестабильность напряжения стабилизации dUст.,В	1.5
Минимальный ток стабилизации Iст.мин.,мА	3
Максимальный ток стабилизации Iст.макс.,мА	18
Рабочая температура,С	-60...125
Способ монтажа	в отверстие
Корпус	kd 2
Производитель	Россия

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

СТАБИЛИТРОНЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		SCSM-16 TRS-16		Панелька DIP 16 цанговая		2 712	17.75
		SCSM-16 TRS-16		Панелька DIP 16 цанговая	RUICHI	462	14.04
		КС417Д				532	2.27
		КС417Д				532	2.27
		КТ 3107 Б		Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		253	29.44
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	800	28.35
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 892	37.80
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ814Б		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
		МЛТ-1-5,6 ОМ-5%				420	7.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"