|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINYA
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
NXU
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
|
|
|
|
|
|
301-021-12 |
|
|
XINLAIYA
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
80
|
107.10
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
|
16
|
120.00
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
WEEN
|
960
|
51.41
|
|
|
|
BT139-600E |
|
Симистор TRIAC средней мощности 600V, 16A, Igt=10mA
|
1
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
|
|
|
|
|
|
MR856 |
|
Силовой диод 600В, 3А, 300нс
|
КИТАЙ
|
800
|
25.50
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
США
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
AD1
|
|
|
|
|
|
OP97FPZ |
|
Прециз. микромощный Операционный усилитель, Uсм=20мкВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
|
1
|
27.20
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ3117А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный, для ...
|
RUS
|
|
|
|