КТ827А

Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
КТ827А	34	822.50
КТ827А (КРЕМНИЙ)	89	1 331.10
КТ827А (ФРЯЗИНО)	309	470.00
КТ827А (БРЯНСК)	88	1 450.00

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N

КТ827А datasheet
151,88kB
5стр.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель
2N6059		STMicroelectronics
2N6284	Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3	ON SEMICONDUCTOR
2N6284	Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3	ST MICROELECTRONICS
2N6284	Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3	ON SEMICONDUCTOR
2N6284	Транзистор S-N-DR.+Д 100В 20A TO3	STMicroelectronics
MJ4035		STMicroelectronics

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс		740	161.00
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ТАШКЕНТ
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	ФОТОН
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	RUS
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	СЗТП
КД213А	Кремниевый диод средней мощности 100кГц, 200В, 10А, 0,3мкс	РОССИЯ
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный		84	177.12
КН102Ж	Тиристор кремниевый диффузионный, структуры p-n-p-n, диодный	ТОМИЛИНО
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	106	1 147.50
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		55	805.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	171	1 250.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	КРЕМНИЙ
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN		153	192.50
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОПРИБОР
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ФРЯЗИНО
КТ827В	Составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN	ЭЛЕКТРОНПРИБОР
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		13 548	39.38
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	15 406	44.00
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 040	108.24
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

КТ827А

Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N

КАТАЛОГ

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

ТРАНЗИСТОРЫ

Аналоги:

С этим товаром покупают: