|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
6 085
|
5.23
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
12 788
|
4.31
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
6 680
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
67 978
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.05
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120 |
|
Оптрон с драйвером igbt, на ток 2.5 ампера
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120 |
|
Оптрон с драйвером igbt, на ток 2.5 ампера
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120 |
|
Оптрон с драйвером igbt, на ток 2.5 ампера
|
AVAGO TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120 |
|
Оптрон с драйвером igbt, на ток 2.5 ампера
|
HEWLETT PACKARD
|
|
|
|
|
|
HCPL-3120 |
|
Оптрон с драйвером igbt, на ток 2.5 ампера
|
|
|
292.88
|
|
|
|
HCPL-3120 |
|
Оптрон с драйвером igbt, на ток 2.5 ампера
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
322
|
|
|
|
|
IRFP350 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP350 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP350 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...
|
|
24
|
1.79
|
|
|
|
IRFP350 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP350 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP350 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=400V, Id=16A@T=25C, Id=10A@T=100C, Rds=0.30 R, ...
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
DC COMPONENTS
|
12 400
|
11.39
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
|
7 981
|
5.30
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY
|
1
|
20.04
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
КИТАЙ
|
40
|
22.68
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
GALAXY ME
|
3 553
|
14.67
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
KLS
|
37
|
12.40
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
MIC
|
198
|
12.02
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
HOTTECH
|
10 501
|
11.35
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
YANGJIE
|
57 600
|
9.88
|
|
|
|
SF56 |
|
Быстродействующий диод (5А/150А,400В)
|
SUNTAN
|
2 304
|
8.82
|
|
|
|
КТ851Б |
|
|
|
|
43.20
|
|
|
|
КТ851Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
75.60
|
|
|
|
КТ851Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|