BFG540.215

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1000МКФ 25В (13X20) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25В			22.00
2200МКФ 25В (13X26) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В	CHANGZHOU HUA WEI ELECTRONICS
2200МКФ 25В (13X26) 105°C	Электролитический алюминиевый конденсатор 2200 мкФ 25В			43.20
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	INFINEON
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...			10.84
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	NXP	230
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	PHILIPS	92
BFS17A	Транзистор NPN широкополосный (Uce=25V, Ic=25mA, Ft=2.8GHz, G=13.5dB@800MHz, NF=2.5dB, ...	КИТАЙ
MMBFJ310LT1G				26.00
MMBFJ310LT1G		ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ310LT1G		ONS	14	40.34
MMBFJ310LT1G		ON SEMICONDUCTOR	81
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ