Версия для печати
Технические характеристики CY7C1315BV18-200BZI
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Формат памяти | RAM |
Тип памяти | SRAM - Synchronous, QDR II |
Объем памяти | 18M (512K x 36) |
Скорость | 200MHz |
Интерфейс подключения | Parallel |
Напряжение питания | 1.7 V ~ 1.9 V |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
Корпус (размер) | 165-LFBGA |
Корпус | 165-FBGA (13x15) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.