IXFK80N20Q
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HiPerFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 80A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4600pF @ 25V |
| Power - Max | 360W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-264AA |
| Корпус | TO-264AA |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IXFx80N20Q (N-канальные транзисторные модули) HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class N-Channel Enhancement Mode Также в этом файле: IXFK80N20Q
Производитель:
|
