![]() |
Производитель | Yageo Corporation |
Количество в упаковке | 4000 шт. |
Вес | 0.038 г |
Допуск емкости | ±5% |
Номинальное постоянное напряжение | 50 В |
Тип диэлектрика | NPO |
Рабочая температура | -55...125 °C |
Код производителя | CC0603JRNPO9BN750 |
Multilayer chip capacitance | |
Размер | 1.6x0.8x0.8 |
Емкость | 75 пФ |
Температурный коэфициент | NPO |
Номинальное напряжение | 50 В |
Серия | CC_0603 |
Корпус (размер) | 0603 |
Тип монтажа | Поверхностный |
Тип | Керамический |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BAV99W (0.2A 80V) |
![]() |
![]() |
||||||
![]() |
LM293DR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM293DR | TEXAS INSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM293DR | TEXAS | 1 050 | 17.13 | ||||
![]() |
LM293DR | TEXAS INSTRUMEN |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM293DR | 7 000 | 12.25 | |||||
![]() |
LM293DR | TEXASINSTRUMENTS |
![]() |
![]() |
||||
![]() |
LM293DR | UMW | 960 | 10.33 | ||||
![]() |
LM293DR | YOUTAI | 6 615 | 6.26 | ||||
PBD 80R (ШАГ 2.54 ММ) | 224 | 59.48 | ||||||
RES 0805 51R 5% | YAGEO |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
КТ368А9 |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
![]() |
72.00 | ||
![]() |
![]() |
КТ368А9 |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ368А9 |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | АЛЕКСАНДРОВ |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ368А9 |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
КТ368А9 |
![]() |
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|