RES 0603 4K7 1%

Версия для печати

Технические характеристики RES 0603 4K7 1%

Производитель	Yageo Corporation
Количество в упаковке	5000 шт.
Вес	0.027 г
Номинальное сопротивление	4.7 кОм
Допуск сопротивления	±1%
Номинальная мощность	0.1 Вт
Тип монтажа	SMD_0603
	RES_CR0603

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
L3G4200D	Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	ST MICROELECTRONICS
L3G4200D	Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом			1 417.60
L3G4200D	Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	STMicroelectronics
L3G4200D	Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	МАЛЬТА
L3G4200D	Трехосевой гироскоп с цифровым последовательном выходом	ST MICROELECTRO
MMA7455LT	Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FREESCALE SEMICONDUCTOR
MMA7455LT	Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FREESCALE
MMA7455LT	Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FRS
MMA7455LT	Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси			820.00
MMA7455LT	Датчик ускорения +-8g x-y,Z-оси	FREESCALE SEMICONDUCTOR
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц			2.44
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	INFINEON
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	LRC
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	MOTOROLA	2 041
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ON SEMICONDUCTOR	1 733
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	OTHER	92
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	Infineon Technologies
MMBT3904LT1	Полевой транзистор SMD 300мВт, 200МГц	ONS-FAIR
RES 0603 620R 1%		YAGEO
RES 0603 75K 1%		YAGEO