|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
1
|
457.60
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
15
|
755.70
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
48
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
39 040
|
8.86
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
|
7 528
|
8.70
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6402TRPBF |
|
P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А
|
TRR
|
4 880
|
4.92
|
|
|
|
ST1S10PUR |
|
|
|
3 600
|
75.48
|
|
|
|
ST1S10PUR |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
ST1S10PUR |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
ST1S10PUR |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
ST1S10PUR |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ST1S10PUR |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STM32F100R8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
96
|
492.00
|
|
|
|
STM32F100R8T6B |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STM32F100R8T6B |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
590
|
|
|
|
|
STM32F100R8T6B |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STM32F100R8T6B |
|
|
|
22
|
304.66
|
|
|
|
КИПЦ 27А-5/8К |
|
|
ПРОТОН
|
|
|
|