SI4435DY

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SI4435DY		140.00
SI4435DY (INFINEON)	17	188.93

Версия для печати

Технические характеристики SI4435DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 8.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1604pF @ 15V
Power - Max	1W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 09/Sept/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

SI4435DY (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

SI4435DY datasheet
107.7 Кб