IRF840A
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме. |
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 4.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1018pF @ 25V |
| Power - Max | 125W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF840AL (Дискретные сигналы) Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=0.85ohm, Id=8.0A) Также в этом файле: IRF840AS
Производитель:
|
