|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
|
|
38.32
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3006P-1-102 |
|
Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный
|
BOCHEN
|
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
28.28
|
|
|
|
3329H-102 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
AM2D-2405SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 2 Вт, вход 24В±10%, выход 5В 400мА, изоляция 1кВ
|
AIMTEC
|
|
|
|
|
|
AM2D-2405SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 2 Вт, вход 24В±10%, выход 5В 400мА, изоляция 1кВ
|
|
|
561.56
|
|
|
|
AM2D-2405SZ |
|
DC/DC преобразователь мощностью 2 Вт, вход 24В±10%, выход 5В 400мА, изоляция 1кВ
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
43.35
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
1 237
|
12.34
|
|