| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
|
|
25.08
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
3296X-1-201 |
|
Потенциометр — резистор подстроечный 200 Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
|
|
19.04
|
|
|
|
|
3362S-502 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный 5 кОм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
 |
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
96.90
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
|
1 848
|
26.59
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
DMS
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
SILICONIX
|
18
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
BLUEROCK
|
|
|
|
|
|
|
IRF840 |
|
N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
|
|
18.32
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
КИТАЙ
|
266
|
15.30
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YJ
|
2 400
|
3.94
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
MIC
|
34 894
|
2.02
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE
|
8 000
|
4.15
|
|
|
|
|
SF26 |
|
Ультрабыстрый диод 400V 2A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
89
|
1 331.10
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
34
|
822.50
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
88
|
1 450.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
309
|
470.00
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|
Версия для печати
