Версия для печати
Технические характеристики DS1669S-10

Число каналов	1
Тип памяти	Non-Volatile
Тип монтажа	Поверхностный
Число шагов	64
Серия	Dallastat™
Корпус	8-SOIC
Температурный коэфициент	750 ppm/°C Typical
Корпус (размер)	8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	±4.5 V ~ 8 V
Интерфейс подключения	Up/Down
Сопротивление (Ом)	10K
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Цифровые потенциометры

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0805 0.01UF Y5V -20/80% 50V
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	VISHAY
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	ST MICROELECTRONICS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт		343	93.60
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	Vishay/Siliconix
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	STMicroelectronics
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	DMS
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	SILICONIX	18
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	КИТАЙ
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	BLUEROCK	1 107	35.71
		IRF840		N-канальный Полевой транзистор 500В, 8А, 125Вт	1
		SWD-10			DPT
		SWD-10					71.84
		SWD-10			DIP
		SWD-10			ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SWD-10			КИТАЙ
		SWD-10			KLS
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...		1	21.12
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИКРОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МЕЗОН	41	157.44
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ИНТЕГРАЛ	1	216.48
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	РОДОН
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ЗПП МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	МИНСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	ХАБАРОВСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	НОВОСИБИРСК
		К561ЛН2		6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...	RUS
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный			20.72
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	КРЕМНИЙ	8	96.90
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	БРЯНСК	6 904	96.00
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	МИНСК
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	ВОРОНЕЖ
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	ИНТЕГРАЛ
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	RUS
		КТ805БМ		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	КРЕМНИЙ (БРЯНСК)

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"