Ультрабыстрый диод |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFRED® |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3V @ 16A |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Current - Average Rectified (Io) | 16A |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 20µA @ 1200V |
Diode Type | Standard |
Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 135ns |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-2 Fused Center, TO-220AC |
Корпус | TO-220AC |
HFA16TB120S (Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)) 1200V 16A Hexfred Discrete Diode Также в этом файле: HFA16TB120STRL, HFA16TB120STRR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK1692 | Транзистор полевой | TOSHIBA | ||||||
2SK1692 | Транзистор полевой | TOS | ||||||
2SK1692 | Транзистор полевой | 12 | 295.20 | |||||
40TPS12 | Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
40TPS12 | Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | VISHAY | ||||||
40TPS12 | Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | 308.80 | ||||||
40TPS12 | Тиристор SCR 1200В, 35A, Igt=150mA | Vishay/Semiconductors | ||||||
IRG4PSH71U | Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А | INTERNATIONAL RECTIFIER | ||||||
IRG4PSH71U | Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А | 891.32 | ||||||
IRG4PSH71U | Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А | INFINEON | ||||||
SQP 10W 7.5 5% | ||||||||
SQP 10W 7.5 5% | YAGEO | |||||||
ПП3-40-100 10% | 414.76 |
|