IRFB18N50K

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB18N50K	3	346.72

Версия для печати

Технические характеристики IRFB18N50K

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2830pF @ 25V
Power - Max	220W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB18N50K (N-канальные транзисторные модули)

Power MOSFET

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB18N50K datasheet
86.13Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRFH8334TR2		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFH8334TR2		INFINEON
IRFH8334TR2
LP3965ES-ADJ		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LP3965ES-ADJ		NSC
LP3965ES-ADJ				279.88
LP3965ES-ADJ		NATIONAL SEMICONDUCTOR	496
LP3965ES-ADJ		США
LP3965ES-ADJ		СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
LP3965ES-ADJ		TEXAS INSTRUMENTS
LP3965ES-ADJ		TEXAS
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MURATA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	CHINA
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)			25.88
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	MUR	27 389	6.95
LQH32CN100K23L	Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 300мА (1210)	Murata Electronics North America
RC0603FR-0768KL		YAGEO	277 728	0.65 >1000 шт. 0.13
RC0603FR-0768KL		YAGEO
RC0603FR-0768KL