OP275GS
Сдвоенный операционный усилитель 9МГц, Uш<6нВ/ Гц, -40°C- +85°C
|
2 ОУ полев. вход, 9 МГц, 22 В/мкс, Uсм = 1 мВ, 2 мкВ/°С, 6 нВ/VГц, Iвх = 100 нА, Iвых = 14 мА, Iп = 4 мА, Uп = 9...44 В, -40...+85°C, SOIC8. |
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | ±4.5 V ~ 22 V |
| Ток выходной / канал | 90mA |
| Ток выходной | 30mA |
| Напряжение входного смещения | 1000µV |
| Ток - входного смещения | 100nA |
| Полоса пропускания | 9MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 22 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | Audio |
| Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
OP275 (Аудио усилители) Dual Bipolar / JFET, Audio Operational Amplifier Также в этом файле: OP275GS, OP275GSR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 99 037 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 338 579 | 1.40 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 77 782 | 3.37 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 2 133 | 1.48 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 6.12 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
253 005 |
1.92 >100 шт. 0.96 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 84 | 1.98 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 91 231 | 1.42 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 42 400 | 2.95 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE | 29 600 | 1.82 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU | 2 |
1.22 >100 шт. 0.61 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 15 317 | 1.02 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 93 000 | 2.30 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 86 933 |
1.12 >100 шт. 0.56 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 125 | 2.43 | ||
 |
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
79 | 1 920.00 | ||||
|
|
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
POL-SUN |
|
|
|||
|
|
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
КАЗАНЬ |
|
|
|||
|
|
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
КОМ |
|
|
|||
|
|
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
RUS |
|
|
|||
|
|
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
ИСЕТЬ |
|
|
|||
|
|
2РМ22КПН10Ш1В1 |
|
ЭЛЕКОН |
|
|
|||
 |
|
B32522C475J |
|
EPCOS Inc |
|
|
||
|
|
|
B32522C475J |
|
|
437.76 | |||
| MJE15034G | 1 | 308.40 | ||||||
| MJE15034G | ON Semiconductor |
|
|
|||||
| MJE15034G | ONS | 152 | 186.96 | |||||
| MJE15034G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MJE15034G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MJE15034G | SPTECH | 199 | 68.09 | |||||
 |
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. |
|
57.60 | ||
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ФОТОН | 16 704 | 24.00 | |
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | RUS |
|
|
|
|
|
|
КП303А |
|
Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. | ЭЛЕКС | 532 | 158.10 |
