Версия для печати
Технические характеристики IRF9620PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.5A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	350pF @ 25V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRF9620PBF (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET Производитель: Vishay IRF9620PBF datasheet 1.1 Мб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	VISHAY	136	55.10
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	Vishay/Siliconix
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	VISHAY/IR
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	SILICONIX	8
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...
		IRF620PBF		Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 200 В, Rоткр = 0.8 Ом, Id(25°C) = 5.2 A ...	0.00
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	FAIR
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	Fairchild Semiconductor
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	FAIRCHILD
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	ON SEMI/FAIRCH
		KSE340S		Транзистор биполярный средней мощности NPN 300V, 0.5A, 20W	ONSEMICONDUCTOR
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIR
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	ONS-FAIR
		KSE350STU		Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20mW, B=30-240@Ic=50mA, -65 to +150C)	ONS
		КД 510 А		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс	RUS
		КС515А1		стекло		80	80.50
		КС515А1		стекло	НЗПП
		КС515А1		стекло	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
		КС515А1		стекло	НОВОСИБИРСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"